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   化学气相沉积炉(碳化硅)



    该化学气相沉积炉(碳化硅)可用于以三氯甲硅烷(MTS)为气源的材料表面抗氧化涂层、基体改性等。

 

    技术特征


本化学气相沉积炉采用最先进的控制技术,能精密控制MTS的流量和压力,炉膛内沉积气流稳定,压     力波动范围小;

本化学气相沉积炉采用特殊结构沉积室,密封效果好,抗污染能力强; 

本化学气相沉积炉采用多通道沉积气路,流场均匀,无沉积死角,沉积效果好;

对沉积产生的高腐蚀性尾气、易燃易爆气体、固体粉尘及低熔点粘性产物能进行有效处理;

本化学气相沉积炉采用最新设计防腐蚀真空机组,持续工作时间长,维修率极低。


化学气相沉积炉(碳化硅)产品规格

参数\型号

HCVD

-060609-SIC

HCVD

-080812-SIC

HCVD

-101015-SIC

HCVD

-121225-SIC

HCVD

-151530-SIC

HCVD

-252035-SIC

HCVD

-252550-SIC

工作区尺寸

W×H×L(mm)

600×600

×900

800×800

×1200

1000×1000

×1500

1200×200

×2500

1500×1500

×3000

2500×2000

×3500

2500×2500

×5000

装载重量(kg)

300

800

1500

2500

5000

10000

20000

最高温度(℃)

1500

1500

1500

1500

1500

1500

1500

温度均匀性(℃)

±7.5

±7.5

±7.5

±10

±10

±15

±15

加热功率(kW)

210

360

480

600

900

1200

1800

极限真空度(Pa)

20

20

20

20

20

20

20

压升率(Pa/h)

0.67

0.67

0.67

0.67

0.67

0.67

0.67

以上化学气相沉积炉参数可根据工艺要求进行调整,不作为验收依据,具体以技术方案和协议为准。


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